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發光二極管在固態照明工程中占有重要的地位，在未來5－10年將逐步取代傳統的照明燈具，成為節能、環保的新型光源。與傳統的光源（白熾燈，日光燈，鹵素燈等）相比，發光二極管光源具有許多優點，如長壽命，體積小，低功耗，低環境污染，高電光轉換效率，適用性好和使用安全等。隨著GaN基III- V族化合物技術的發展和藍光led的實現，人們已經可以獲得實現白光的三基色發光二極管。通常情況下，獲得白光發光二極管的方法有：1）藍光發光二極管+ 黃色熒光粉；2）多芯片組合，即將紅，綠，藍三個管芯結合在一起；3）光子循環實現白光發光方式；4）同一襯底上生長不同發光波長量子阱方式。但是上述幾種獲得白光的方式技術復雜、制作成本高、存在很多需要克服的困難，因此人們一直致力于實現能夠避開這些問題的單芯片白光發光器件，并從理論上預言這種器件的可行性。然而，盡管GaN基的藍、綠光發光二極管的技術日益成熟和商品化，實現單芯片白光發光成為科學家的夢想。2006年，物理所陳弘研究組采用InGaN的應力調制層，實現了對InGaN/GaN多量子阱的應力調制和控制，成功研制出單芯片白光發光器件。此方法不需要熒光粉，也不需要增加復雜的控制電路，制備過程與普通發光二極管相似。在常規的注入電流下（20mA－60mA），白光的顯色指數幾乎不變。圖1展示了不同注入電流下發光顏色的變化。圖2展示了InGaN/GaN有源區的截面電鏡像。
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